6月6日上午，上海光機(jī)所第四十九期“清河之光”論壇在溢智廳舉辦。本次論壇邀請(qǐng)了上海集成電路研發(fā)中心伍強(qiáng)博士作題為“衍射極限附近的光刻工藝”的學(xué)術(shù)報(bào)告。上海光機(jī)所鄒明副所長(zhǎng)出席了報(bào)告會(huì)，所內(nèi)科研人員和研究生積極參與了本期論壇并進(jìn)行了學(xué)術(shù)交流。論壇由信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室王向朝研究員主持。 

　　自0.25微米之后，光刻工藝的分辨率接近了衍射極限。為了保持光刻工藝的性能，涌現(xiàn)出來很多新方法，例如離軸照明、化學(xué)放大型光刻膠、抗反射層、相移掩模、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正、浸沒式光刻、自由光瞳、負(fù)顯影技術(shù)、多重圖形技術(shù)、極紫外光刻等。伍強(qiáng)的報(bào)告以光刻工藝的性能需求為主線，理論結(jié)合實(shí)際，深入淺出地介紹現(xiàn)代光刻工藝的主要工藝與參數(shù)需求、光刻膠與抗反射層技術(shù)、光掩模技術(shù)、計(jì)算光刻技術(shù)、光學(xué)臨近效應(yīng)校正技術(shù)、多重圖形技術(shù)、極紫外光刻/光源技術(shù)、浸沒式光刻技術(shù)等幾個(gè)關(guān)鍵方面。報(bào)告會(huì)上，伍強(qiáng)與多名與會(huì)人員進(jìn)行了技術(shù)討論，給了與會(huì)人員很大的啟發(fā)。報(bào)告會(huì)后，伍強(qiáng)與本所參與相關(guān)任務(wù)研發(fā)的科研人員進(jìn)行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。  

　　伍強(qiáng)博士，光刻技術(shù)資深專家，現(xiàn)任上海集成電路研發(fā)中心新型器件和材料實(shí)驗(yàn)室副主任，CSTIC中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)光刻分會(huì)副主席。1993年本科畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理系，1999年博士畢業(yè)于美國(guó)耶魯大學(xué)物理系，2007～2009年擔(dān)任CSTC中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)光刻分會(huì)主席。先后任職于美國(guó)IBM、我國(guó)華虹NEC電子有限公司、荷蘭ASML光刻設(shè)備（中國(guó)）有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國(guó)際新技術(shù)研發(fā)有限公司，先后參與0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米、40納米、28納米、14納米、10納米等光刻技術(shù)研發(fā)，負(fù)責(zé)5納米邏輯技術(shù)包括極紫外光刻技術(shù)的預(yù)研。共獲得授權(quán)專利108項(xiàng)，包括美國(guó)專利22項(xiàng)。 

　　“清河之光”論壇是由上海光機(jī)所主辦的高層次學(xué)術(shù)交流活動(dòng)，著眼于研討本所相關(guān)科技領(lǐng)域以及交叉學(xué)科領(lǐng)域的最新前沿動(dòng)態(tài)與發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)，旨在進(jìn)一步活躍我所學(xué)術(shù)氛圍，為我所科技人員提供良好的學(xué)習(xí)平臺(tái)，鼓勵(lì)學(xué)術(shù)交流，啟迪和激發(fā)科技創(chuàng)新思維。論壇迄今已經(jīng)舉辦了四十九期。

　　報(bào)告現(xiàn)場(chǎng)