上海硅酸鹽所人工晶體研究中心召開第三十七期學(xué)術(shù)講壇
文章來源:上海硅酸鹽研究所 | 發(fā)布時(shí)間:2019-10-09 | 【打印】 【關(guān)閉】
9月23日上午,中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所在嘉定園區(qū)G樓3樓報(bào)告廳舉辦了“獨(dú)立建所60周年學(xué)術(shù)活動(dòng)”之第三十七期人工晶體講壇。邀請(qǐng)同濟(jì)大學(xué)物理學(xué)院徐軍教授和中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所歐欣研究員作為主講嘉賓,為上海硅酸鹽所、同濟(jì)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所等單位的70余名科研人員與研究生分別作了題為“我國(guó)藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)對(duì)晶體生長(zhǎng)技術(shù)的推動(dòng)及關(guān)于激光晶體發(fā)展態(tài)勢(shì)的思考”和“先進(jìn)硅基襯底材料及應(yīng)用”的報(bào)告。報(bào)告會(huì)由中國(guó)科學(xué)院原副院長(zhǎng)、上海張江綜合性國(guó)家科學(xué)中心常務(wù)副主任、人工晶體研究中心學(xué)術(shù)委員會(huì)主任施爾畏研究員主持。施爾畏代表上海硅酸鹽所向徐軍教授和歐欣研究員表示熱烈歡迎和誠(chéng)摯感謝,并簡(jiǎn)要介紹了兩位報(bào)告人在其領(lǐng)域方面取得的科學(xué)成果,希望與會(huì)人員能從兩位科學(xué)家的報(bào)告中得到啟示。
徐軍教授在報(bào)告中介紹了藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)化發(fā)展歷史、現(xiàn)狀、高/低端應(yīng)用以及未來的應(yīng)用前景。詳細(xì)介紹了藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)的方法以及研究進(jìn)展,重點(diǎn)介紹了其研究團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的導(dǎo)模法工藝以及取得的成果,如:300*600*12 大板條、內(nèi)/外徑分別為F31/58mm和F50/65mm且長(zhǎng)度超過300mm的大尺寸厚壁單晶圓管、F60×350mm藍(lán)寶石晶棒、F0.42-0.44mm藍(lán)寶石光纖等。徐軍教授還針對(duì)激光晶體發(fā)展態(tài)勢(shì)闡述了自己的觀點(diǎn),提出了激光晶體今后的主要發(fā)展趨勢(shì),并提出實(shí)現(xiàn)激活離子局域配位結(jié)構(gòu)調(diào)控是關(guān)鍵基礎(chǔ)科學(xué)問題之一,提出了建立激光晶體數(shù)據(jù)庫的必要性和迫切性。
歐欣研究員介紹了半導(dǎo)體集成電路與全球經(jīng)濟(jì)的相關(guān)性,高端硅基襯底材料的發(fā)展方向以及我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。介紹了其研究團(tuán)隊(duì)在SOI(Silicon-On-Insulator)技術(shù)方面取得的成果,如SOI技術(shù)路線、開發(fā)國(guó)際最低注氧劑量SOI材料制備技術(shù)及其應(yīng)用。針對(duì)后摩爾時(shí)代、5G時(shí)代非硅材料的需求,其團(tuán)隊(duì)發(fā)展了異質(zhì)集合XOI技術(shù),利用“萬能離子刀”硅基異質(zhì)集成精準(zhǔn)剝離技術(shù),將Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體、寬禁帶半導(dǎo)體、硅基鈮酸鋰/鉭酸鋰等功能材料與硅基(Si/SiO2/SiC)襯底集成,解決XOI材料集成中多物理失配問題,建立XOI材料制備技術(shù)體系和中試平臺(tái),為后摩爾時(shí)代核心光子、電子及量子器件提供關(guān)鍵材料支撐。
報(bào)告會(huì)中,與會(huì)人員與報(bào)告人就感興趣的問題展開了熱烈的交流與討論。
施爾畏研究員主持報(bào)告會(huì)
同濟(jì)大學(xué)徐軍教授作報(bào)告
中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所歐欣研究員作報(bào)告
報(bào)告會(huì)現(xiàn)場(chǎng)